MTQ MTF 500V μsไทริสเตอร์ฟูลบริดจ์ Rectifier

ไทริสเตอร์คืออะไร?ประเภทของไทริสเตอร์และการใช้งาน

ไทริสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประเภทหนึ่งที่น่าสนใจมีลักษณะที่คล้ายคลึงกันกับส่วนประกอบโซลิดสเตตอื่น ๆ ที่ทำจากซิลิกอนเช่นไดโอดและทรานซิสเตอร์ดังนั้นการแยกแยะไทริสเตอร์จากไดโอดและทรานซิสเตอร์อาจเป็นเรื่องยากเพื่อเพิ่มความยากให้มีไทริสเตอร์ประเภทต่างๆในตลาด

ในบางกรณีสิ่งที่ทำให้ไทริสเตอร์แตกต่างจากกันอาจเป็นเพียงรายละเอียดเล็ก ๆ น้อย ๆ

นอกจากนี้ขึ้นอยู่กับผู้ผลิตไทริสเตอร์ที่กำหนดอาจเป็นที่รู้จักในชื่ออื่น

ในการใช้ไทริสเตอร์ให้ประสบความสำเร็จในการออกแบบวงจรสิ่งสำคัญคือต้องทราบลักษณะเฉพาะข้อ จำกัด และความสัมพันธ์กับวงจรนั่นเป็นเหตุผลที่เราใช้เวลาในการจัดเรียงข้อมูลทั้งหมดเพื่อให้คุณเข้าใจได้ดีขึ้นว่าไทริสเตอร์ใดเหมาะสมกับการใช้งานของคุณมากที่สุด

คุณสมบัติของไดโอดไทริสเตอร์วงจรเรียงกระแส

ผมฉ(AV)= 35A ~ 300A, V.RRM= 800V, 1600V หรือทำเอง Tjm= 150 ℃ พารามิเตอร์ในตารางคือการให้คะแนนและคุณลักษณะของชิปไดโอดแต่ละตัวในโมดูล เหมาะสำหรับประเภท: MDG, MDY โมดูลวงจรเรียงกระแส Half Bridge สามเฟส (ไม่แยก ชนิด) ประเภท ผมF (AV) ทีค VTM (V) ผมRRM (mA) รth (jc) (℃ / ต) รth (ช) (℃ / ต) รูปที่ วงจร (ก) (℃) MDG35 35 100 ≤1.3 ≤10 0.65 0.1 8   MDG55 55 90 ≤1.3 ≤10 0.47 0.1 8 MDG70 70 90 ≤1.3 ≤10 0.38 0.1 8 MDG90 90 85 ≤1.3 ≤10 0.29 0.1 8,16 MDG110 110 85 ≤1.3 ≤10 0.23 0.1 8,16 MDG130 130 85 ≤1.3 ≤15 0.19 0.05 8,16 MDG150 150 85 ≤1.3 ≤15 0.16 0.05 8,16 MDG200 200 85 ≤1.5 ≤15 0.126 0.05 8,16 MDG250 250 85 ≤1.5 ≤20 0.100 0.05 ดูเว็บไซต์ MDG300 300 80 ≤1.5 ≤20 0.083 0.05 ดูเว็บไซต์   ผมT (อัน)= 25A ~ 300A, V.DRM= VRRM= 600V, 1600V หรือทำเอง Tjm= 125C, dv / dt≥500V / μs พารามิเตอร์ในตารางคือการจัดอันดับและคุณสมบัติของชิปไทริสเตอร์แต่ละตัวในโมดูล เหมาะสำหรับประเภท: MTG, MTY โมดูลไทริสเตอร์ครึ่งสะพานสามเฟส (ชนิดไม่แยก) ประเภท ผมT (AV) ทีค VGT ผมGT VTM (V) ผมRRM (mA) รth (jc) (℃ / ต) รth (ช) (℃ / ต) รูปที่ วงจร (ก) (℃) (V) (MA) MTG25 25 85 ≤2.0 60 ± 10 ≤1.3 ≤10 1.15 0.1 8   MTG40 40 85 ≤2.0 60 ± 10 ≤1.3 ≤10 0.65 0.1 8 MTG55 55 85 ≤2.0 60 ± 10 ≤1.3 ≤10 0.47 0.1 8 MTG70 70 85 ≤2.5 60 ± 10 ≤1.3 ≤15 0.38 0.1 8 MTG90 90 85 ≤2.5 65 ± 15 ≤1.3 ≤15 0.29 0.1 8,16 MTG110 110 85 ≤2.5 65 ± 15 ≤1.3 ≤15 0.23 0.1 8,16 MTG130 130 85 ≤2.5 65 ± 15 ≤1.3 ≤20 0.19 0.05 8,16 MTG150 150 80 ≤2.5 70 ± 15 ≤1.5 ≤20 0.16 0.05 8,16 MTG200 200 80 ≤2.5 70 ± 15 ≤1.5 ≤20 0.126 0.05 8,16 MTG250 250 80 ≤2.5 75 ± 15 ≤1.5 ≤30 0.100 0.05 ดูเว็บไซต์ MTG300 300 75 ≤3.0 75 ± 15 ≤1.6 ≤30 0.083 0.05 ดูเว็บไซต์

	ผมง= 30A ~ 500A, วjm= 125 ℃, V.DRM= VRRM= 1600V หรือทำเอง Vผมดังนั้น≥ 2.5KV(RMS) dv / dt≥500V / μs พารามิเตอร์ในตารางคือการให้คะแนนและคุณสมบัติของชิปไทริสเตอร์แต่ละตัวในโมดูล (ยกเว้นใน) เหมาะสำหรับประเภท: MTQ, MTF, MHF, MD / TF, MT / DQ, MT / DF โมดูลบริดจ์วงจรเรียงกระแสแบบควบคุมเต็มเฟสเดียว (ควบคุมครึ่งหนึ่ง) ประเภท ผมT (AV) ทีค VGT ผมGT ผมDRM ผมRRM (mA) VTM (V) รth (jc) (℃ / ต) รth (ช) (℃ / ต) รูปที่ วงจร (ก) (℃) (V) (MA) MTQ30 30 85 0.8 ± 0.1V 40 ± 10 ≤8 ≤1.6 1.4 0.1 4,5   MTQ60 60 85 0.8 ± 0.1V 40 ± 10 ≤10 ≤1.6 0.76 0.1 4,5 MTQ100 100 85 0.8 ± 0.1V 45 ± 10 ≤15 ≤1.6 0.49 0.1 4,5 MTQ150 150 80 0.8 ± 0.1V 45 ± 10 ≤15 ≤1.6 0.3 0.05 6 MTQ200 200 80 0.95 ± 0.15V 45 ± 15 ≤20 ≤1.6 0.25 0.05 6 MTQ250 250 80 0.95 ± 0.15V 50 ± 15 ≤20 ≤1.8 0.29 0.05 6 MTQ300 300 80 0.95 ± 0.15V 55 ± 15 ≤20 ≤1.8 0.24 0.05 6   ผมง= 30A ~ 800A, ฉันjm= 125 ℃, V.DRM= VRRM= 1600V หรือทำเอง Vผมดังนั้น≥ 2.5KV (RMS) dv / dt≥500V / μs พารามิเตอร์ในตารางคือการให้คะแนนและคุณสมบัติของชิปไทริสเตอร์แต่ละตัวในโมดูล (ยกเว้น ID) เหมาะสำหรับประเภท: MTS, MT / DS, MHS สามเฟสควบคุมเต็มรูปแบบ (ควบคุมครึ่งหนึ่งเอ็ด) โมดูล Rectifer Bridges ประเภท ผมT (AV) ทีค VGT ผมGT VTM (V) ผมDRM ผมRRM (mA) รth (jc) (℃ / ต) รth (ช) (℃ / ต) รูปที่ วงจร (ก) (℃) (V) (MA) MTS30 35 85 ≤20 40 ± 10 ≤1.6 ≤10 1.30 0.1 4,5   MTS60 60 85 ≤2.0 40 ± 10 ≤1.6 ≤10 1.10 0.1 4,5 MTS100 100 85 ≤2.0 45 ± 10 ≤1.6 ≤10 0.75 0.05 4,5
ประเภท:MTQ60A VRRM: 1600V กระแสโหลดสูงสุด: 60A ขนาด: 80 × 40 × 27 มม ขนาดแก้ไข: 66 มม., Φ6.5มม
ประเภท: DFA60AA16 VRRM: 1600V กระแสโหลดสูงสุด: 60A ขนาด: 93 × 50 × 21 มม แก้ไขขนาด: 80 มม., Φ5.3มม		ประเภท: PWB100AA16 VRRM: 1600V กระแสโหลดสูงสุด: 1 00A ขนาด: 92 × 26 × 29 มม แก้ไขขนาด: 80 มม., Φ6.4มม	ประเภท: DFA100AA16 VRRM: 1600V กระแสโหลดสูงสุด: 1 00A ขนาด: 108 × 62 × 28 มม แก้ไขขนาด: 93 × 48 มม., Φ6มม

บริษัท ของเรา

Wuxi Gold Control Technology Co. , Ltd. ซึ่งก่อตั้งขึ้นในปี 1992 ซึ่งเป็น บริษัท เทคโนโลยีชั้นสูงของเอกชนมีความเชี่ยวชาญในการวิจัยและผลิตโซลิดสเตทรีเลย์อุปกรณ์กึ่งตัวนำอิเล็กทรอนิกส์ไดรเวอร์มอเตอร์กระแสตรงและอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับ

ในช่วง 10 ปีที่ผ่านมา บริษัท ของเราได้รับการรับรองให้เป็น "ธุรกิจไฮเทคส่วนตัวของมณฑลเจียงซู"เรายังได้รับการยกย่องให้เป็น "บริษัท วิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีเอกชนที่ดีที่สุด 10 อันดับของอู๋ซี" เป็นเวลาหลายปี

ผลิตภัณฑ์ของเราซึ่งเป็นโมดูลอิเล็กทรอนิกส์ที่มีตราสินค้า Gold ได้รับการระบุไว้ใน "ผลิตภัณฑ์ที่มีชื่อเสียงของ Wuxi" บริษัท ของเรามีสิทธิบัตร 5 รายการสำหรับ Solid State Relaysผลิตภัณฑ์ของเราใช้กันอย่างแพร่หลายในพื้นที่ควบคุมระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรมต่างๆเช่นเครื่องจักรใยเคมีการควบคุมอุณหภูมิของเตาไฟฟ้าเครื่องจักรยางและพลาสติกการควบคุมน้ำพุและเครื่องจักรที่ควบคุมด้วยระบบดิจิตอลและจำหน่ายไปยังยุโรปอเมริกาเกาหลีและตุรกี

ของเรา ฉนักแสดง

โรงงานของเราสามารถผลิตได้ประมาณ 50,000 ชิ้นในแต่ละเดือนเราสามารถให้คุณภาพดีและราคาที่เหมาะสมเรามีนักวิจัยมืออาชีพ 20 คนที่สำเร็จการศึกษาจากมหาวิทยาลัยและวิทยาลัยที่มีชื่อเสียงทั้งหมดเมื่อผลิตเรามีการทดสอบที่เข้มงวด: การทดสอบตัวเองการทดสอบระหว่างกันและการทดสอบพิเศษ

ใบรับรองของเรา

ผลิตภัณฑ์ของเราซึ่งเป็นโมดูลอิเล็กทรอนิกส์ที่มีตราสินค้า Gold ได้รับการระบุไว้ใน "ผลิตภัณฑ์ที่มีชื่อเสียงของ Wuxi" บริษัท ของเรามีสิทธิบัตร 5 รายการสำหรับ Solid State Relaysผลิตภัณฑ์ของเราใช้กันอย่างแพร่หลายในพื้นที่ควบคุมระบบอัตโนมัติในอุตสาหกรรมต่างๆเช่นเครื่องจักรใยเคมีการควบคุมอุณหภูมิของเตาไฟฟ้าเครื่องจักรยางและพลาสติกการควบคุมน้ำพุและเครื่องจักรที่ควบคุมด้วยระบบดิจิตอลและจำหน่ายไปยังยุโรปอเมริกาเกาหลีและตุรกี

บริษัท ของเราผ่านการรับรอง ISO9001: 2000 ในปี 2000 ผลิตภัณฑ์หลักของเราได้รับใบรับรอง CE ของสหภาพยุโรป UL, CUL และ RoHS Certificates